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MCM封装技术的应用与分类

作者:admin  更新时间:2017-06-28
  MCM封装技术的应用与分类
  MCM封装技术是通过丝网印刷的方法把导体浆料、电阻浆料或介质浆料等材料淀积在陶瓷基板上,经过高温烧成,在基板上形成粘附牢固的膜。经过连续多次重复,就形成了多层互连结构的电路,该电路中可包含集成的电阻、电容或电感。
  MCM封装技术主要用于高可靠和高性能的场合,如军事、航空、航天和测试设备中。这些技术也成功地应用于大批量生产的低成本设备,这些应用领域包括汽车(发动机控制系统、安全防抱死系统等)、通信工程(程控交换机用户电路、微型功率放大器等)、医疗设备和消费电子(家用视听产品)等。
  过去,由于材料和工艺技术等各方面的局限,厚膜产品一般用在中低频率。随着电子整机小型、轻量、多功能、高可靠化的要求日趋迫切,厚膜工艺和材料等各方面也朝高密度、大功率、高频化方向发展。人们相继开发了适合于微波和RF电路应用的厚膜浆料、基板材料、介质材料和工艺。这些厚膜技术和材料日益成熟,加上厚膜工艺开发周期短,成本低,适合于大批量生产的特点,应用不断扩大。90年代迅速发展的共烧陶瓷多芯片组件(MCM-C),是厚膜混合技术的延伸与发展,是厚膜陶瓷工艺的体现。MCM-C的基板根据烧成温度的不同,分为高温共烧陶瓷(HTCC)基板和低温共烧陶瓷(LTCC)基板两种。低温共烧陶瓷技术的导体的电阻率较低,介质材料的高频性能好,工艺灵活,能满足各种芯片组装技术的要求,适合于在微波和RF电路应用。
MCM封装技术的应用与分类
  MCM可分为三种基本类型:
  MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM。从模拟电路、数字电路、混合电路到微波器件,MCM-C适用于所有的应用。多层陶瓷基板中低温共烧陶瓷基板使用最多,其布线的线宽和布线节距从254微米直到75微米。
  MCM-D是采用薄膜技术的MCM。MCM-D的基板由淀积的多层介质、金属层和基材组成。MCM-D的基材可以是硅、铝、氧化铝陶瓷或氮化铝。典型的线宽25微米,线中心距50微米。层间通道在10到50微米之间。低介电常数材料二氧化硅、聚酰亚胺或BCB常用作介质来分隔金属层,介质层要求薄,金属互连要求细小但仍要求适当的互连阻抗。图3是用硅做基材的MCM-D基板的剖面结构。如果选用硅做基板,在基板上可添加薄膜电阻和电容,甚至可以将存储器和模块:的保护电路(ESD,EMC)等做到基板上去。
  MCM-L是采用片状多层基板的MCM。MCM-L技术本来是高端有高密度封装要求的PCB技术,适用于采用键合和FC工艺的MCM。MCM-L不适用有长期可靠性要求和使用环境温差大的场合。