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3D Nandflash 将引领存储器的行业变革

作者:admin  更新时间:2017-11-10
 3DNAND技术与现有的2DNAND(纳米制程技术)截然不同,2DNAND是平面结构而3DNAND是立体结构,3DNAND结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能显著提升,而且功耗可以大幅降低,在提升存储密度的同时降低成本。
    以三星的3DNAND产品为例,它比1x纳米NANDFlash更加可靠,功耗更低,并且拥有随机写入功能。3DNANDFlash技术的出现及其带来的市场格局变化,为集成电路制造企业进入主流存储器制造领域提供了有利的契机。
    调研机构ICInsight报告显示,2DNANDFlash产品的出货量将从2015年开始以每年17.1%的速度快速下降,3DNANDFlash产品的出货量将以200%的年均复合增长率递增,预计2020年达到NANDFlash总量的70%的水平。未来3DNANDFlash产品将逐渐取代传统的2DNANDFlash产品,成为NANDFlash的主流产品。
   从NANDFlash产品的主流厂商态势分析来看,东芝/闪迪的每10万片单位产出高于三星、美光和英特尔,但在3DNAND的布局来看,三星已经领先于其他厂商,目前3DNAND技术占比已达到11%。
    存储器广泛应用于大型云存储运算中心、服务器、电脑、手机及各类电子产品中。存储器处于半导体行业领头羊地位,发展态势良好,2014年~2019年均复合增长率达到8%。2014年全球存储器市场规模约750亿美金,占据整个半导体市场的21%,预计2019年存储器市场规模超过1140亿美金,约占半导体市场的30%。
一直以来,中国的存储芯片产业基本空白,几乎100%依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元,占据全球95%以上的市场份额。而中国每年进口的存储芯片就占55%的全球市场份额。
全球存储器产业的技术持续更新,对单颗芯片容量的密度要求越来越大。存储器规模经济效应明显,产品种类相对单一,价格敏感性高,只有保持规模经营,紧跟技术进步,追求更低的制造成本,才有机会在市场竞争中胜出。全产业链的协同创新模式,将为实现战略突破打下坚实的基础。