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什么是数据存储器的易失性和非易失性

作者:admin  更新时间:2017-07-04
什么是数据存储器的易失性和非易失性
什么是数据存储器的易失性和非易失性
    数据存储器能够坐落微控制器内部,或许是外部器材,但这两种情况存在一些不相同。有时微控制器内部包括易失性和非易失两种数据存储器,但有时不包括内部EEPROM,在这种情况下,当需求存储很多数据时,工程师能够挑选外部的串行EEPROM或串行闪存器材。当然,也能够运用并行EEPROM或闪存,但通常它们只被用作程序存储器。
    当需求外部高速数据存储器时,通常挑选并行SRAM并运用外部串行EEPROM器材来满意对非易失性存储器的请求。一些规划还将闪存器材用作程序存储器,但保存一个扇区作为数据存储区。这种办法能够降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。
    关于非易失性存储器请求,串行EEPROM器材支撑I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线,而串行闪存通常运用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口,FRAM在一些体系中得到运用。阿
     数据存储器可分红易失性存储器或许非易失性存储器,前者在断电后将丢掉数据,而后者在断电后仍可坚持数据。规划工程师有时将易失性存储器与后备电池一同运用,使其体现犹如非易失性器材,但这也许比简略地运用非易失性存储器愈加贵重。但是,对请求存储器容量非常大的体系而言,带有后备电池的DRAM也许是满意规划请求且性价比很高的一种办法。在有连续能量供应的体系中,易失性或非易失性存储器都能够运用,但有必要依据断电的也许性做出终究决议计划。假如存储器中的信息能够在电力康复时从另一个信源中康复出来,则能够运用易失性存储器。
      挑选易失性存储器与电池一同运用的另一个原因是速度。虽然非易失存储器材能够在断电时坚持数据,但写入数据(一个字节、页或扇区)的时刻较长。
串行存储器和并行存储器
      在界说了运用体系以后,微控制器的挑选是决议挑选串行或并行存储器的一个要素。关于较大的运用体系,微控制器通常没有满足大的内部存储器,这时有必要运用外部存储器,由于外部寻址总线通常是并行的,外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。
     较小的运用体系通常运用带有内部存储器但没有外部地址总线的微控制器。假如需求额外的数据存储器,外部串行存储器材是最好挑选。大多数情况下,这个额外的外部数据存储器是非易失性的。
     依据不相同的规划,引导存储器能够是串行也能够是并行的。假如微控制器没有内部存储器,并行的非易失性存储器材对大多数运用体系而言是正确的挑选。但对一些高速运用,能够运用外部的非易失性串行存储器材来引导微控制器,并答应主代码存储在内部或外部高速SRAM中。
EEPROM与闪存
      存储器技能的老练使得RAM和ROM之间的边界变得很含糊,现在有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器材像RAM相同进行读写,并像ROM相同在断电时坚持数据,它们都可电擦除且可编程,但各自有它们优缺点。
      从软件视点看,独立的EEPROM和闪存器材是相似的,两者首要不相同是EEPROM器材能够逐字节地修正,而闪存器材只支撑扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的从头编程还需求运用SRAM,因而它请求更长的时刻内有更多的器材在工作,然后需求耗费更多的电池能量。规划工程师也有必要承认在修正数据时有满足容量的SRAM可用。
     存储器密度是决议挑选串行EEPROM或许闪存的另一个要素。市场上现在可用的独立串行EEPROM器材的容量在128KB或以下,独立闪存器材的容量在32KB或以上。
     假如把多个器材级联在一同,能够用串行EEPROM完成高于128KB的容量。很高的擦除/写入耐久性请求促进规划工程师挑选EEPROM,由于典型的串行EEPROM可擦除/写入100万次。闪存通常可擦除/写入1万次,只要少量几种器材能到达10万次。
     今日,大多数闪存器材的电压规模为2.7V到3.6V。假如不请求字节寻址才能或很高的擦除/写入耐久性,在这个电压规模内的运用体系选用闪存,能够使成本相对较低。