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2017年Nand-flash高温存储器《互动简介》

作者:admin  更新时间:2017-06-27
Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部选用非线性宏单元形式,为固态大容量内存的结束供给了便宜有用的处理方案。机载存储设备恳求具有高的可靠性和高抗碰击、抗震、防潮、耐高压和承受高温的特征,而磁盘驱动器存取数据时有机械翻滚,其抗冲击,抗颤动性不强,所以不适用于航空航天等恶劣环境下运用。根据半导体存储芯片闪存的固态存储器(SSD)的出现极好的处理了以上疑问。SSD作为储存介质,没有机械翻滚部件、存储密度高、可靠性高、体积小、重量轻,而且抗颤动、抗冲击、温度习气规划宽,具有很强的环境习气性,可以满意苛刻条件下的数据储存恳求,因此,高功能大容量固态存储器已变成军用重大项目中的只需数据储存办法。
  NAND FLASI存储器-功能、构造
 选用的是三星公司的K9K8G08UOM型FLASH芯片作为存储系统的介质,该款NAND F1ash存储容量为8448Mbit,其间主数据区为8192M bit,辅佐数据区为256Mbit,工作电压为2.7V~3.6V,I/O端口的宽度为8位。NAND FLASH不一样于NOR FLASH,NOR FLASH在出厂时不容许芯片有坏块存在,而NAND FLASH容许制品中存在坏块,这是NAND技术所特有的现象。
  芯片内的8448M bit内存是按块和页的概念来组织的,一个FLASH存储器包含8192块(block),每块包含64页(page),每页有2112 Bytes。芯片内具有一个容量为2112 Bytes的数据存放器,称为页存放器,用来在数据存取时作为缓冲区,当对芯片内的某一页进行读写时,其数据首选被转移到此数据存放器内,通过数据缓冲区和芯片外进行数据交换,以结束读写功用。页内的2112Bytes被划分为2048 Bytes的主数据区和164 Bytes的辅佐数据区,主数据区存放用户数据,辅佐数据区被用来储存ECC(Error correcTIon Code,差错校验码)、坏块信息和文件系统有关代码。其组织联系如图1所示:
  K9K8GOSUOM地址是通过复用8个I/O口送入芯片的。这么的规划明显减少了芯片的管脚数目,并为系统升级带来了便当。在CE和WP为低时,把WE 置低可以把K9K8G08UOM的指令、地址和数据通过I/O口写进去。数据在WE的上升沿写入芯片。指令锁存使能(CLE)和地址使能锁存(ALE)用来差异I/O口的数据是指令仍是地址。K9K8G08UOM有1G字节地址空间,需要30位的地址,所以字节的地址需要五个周期依次送入:行低地址、行高地址、列低地址、列中地址、列高地址。页的读操作和编程操作都需要一样的五个地址周期紧跟在相应的指令输入今后。可是,在块的擦除操作中,只需有三个地址周期。不一样的操作通过往指令存放器写不一样的指令来差异。
Nand-flash高温存储器-应用范围
其间许多工作用到的FLASH的存储器是相当多的,比方石油勘探测井 可燃冰的发掘 煤炭的发掘 高级轿车领域车载高温新片区 武器装备的战机  雷达等等,用到的高温大容量 flash存储器是相当多的,而且因为工作的特别运用环境和恳求,相对应的flash存储器的宽温运用条件增加了束缚(150度  175度 185度 200度)。
 
 
现在全球高温大容量flash存储器能抵达175度 往上的商家不是许多,在前段时间美国石油展会其间的我国青岛智腾 的175度高温大容量flash存储器备受国外商家期待,变成石油展会厚膜集成电路高新技术的一匹黑马。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等利益,适用于大量数据的存储,因此在业界得到了越来越广泛的运用,如嵌入式产品中包含数码相机、MP3随身听记忆卡、体积细巧的U盘等。