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集成电路光刻技术基本原理与技术发展方向

作者:admin  更新时间:2017-10-12
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是:
1、涂布光致抗蚀剂;
2、套准掩模板并曝光;
3、用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层;
4、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层;
5、去除已感光的光致抗蚀剂层。
 集成电路光刻技术基本原理与技术发展方向
光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证:
其一是大面积均匀曝光,在同一块硅片上同时做出大量器件和芯片,保证了批量化的生产水平;
其二是图形线宽不断缩小,使用权集成度不断提高,生产成本持续下降;
其三,由于线宽的缩小,器件的运行速度越来越快,使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高,光刻技术所面临的困难也越来越多。